Behuizing: Bedrukking van heuppatches van titaniumlegering
Titaniumlegering TC4 is het kernmateriaal geworden voor orthopedische implantaten vanwege de hoge sterkte, biocompatibiliteit en het vermogen om botweefsel te smelten.
Read More
Ultrasone technologie zorgt voor een revolutie in het bewerken van diepe gate...
Hoe doorbreek je de knelpunten van materiaalbrosheid, obstakels bij het verwijderen van spanen en precisiecontrole bij meerdere gaten?
Read More
Precisie -bewerking doorbraken voor polykristallijne siliciumpoortringen in h...
Bij het bevorderen van de lokalisatie van kerncomponenten stuitte op een fabrikant van binnenlandse halfgeleiderapparatuur een moeilijk verwerkingsprobleem tegen
Read More
Revolutionering van precisiebewerking voor CF/SIC Aerospace -componenten
Koolstofvezelversterkte siliciumcarbide -composietmaterialen (CF/SIC) zijn het kernmateriaal geworden van componenten van hete uiteinde van vliegtuigmotoren vanwege hun weerstand op hoge temperatuur e
Read More
Doorbraak in ultrasone bewerking van structurele onderdelen van koolstofvezel...
Op het gebied van luchtvaartproductie zijn koolstofvezelcomposietmaterialen (CFRP) het kernmateriaal geworden van structurele onderdelen van vliegtuigen vanwege hun hoge sterkte en lichtgewicht kenmer
Read More
Precisie -freestechnologie van Peek Cervical Fusion Device
Kernprocessen zoals complexe holteverwerking van orthopedische implantaten en nano-level oppervlaktebehandeling van optische instrumenten zijn dringend behoefte aan het doorbreken van de knelpunten va
Read More
Ultrasone precisie slijpen snijdt monokristallijne siliciumringcyclusstijd me...
Op het gebied van ruimtevaart, nieuwe energievoertuigen, enz., Heeft het efficiënte en precieze snijden van koolstofvezelvoorvormen direct invloed op de prestaties en productiekosten van componenten.
Read More
Ultrasone Tech stimuleert siliciumringverwerkingsefficiëntie met één kristal ...
Op het gebied van chipproductie is de verwerkingskwaliteit van siliciumringen met één kristal als kernwerkstukken direct de prestaties van halfgeleiderapparaten beïnvloed.
Read More


![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n2025041410492739e5c.webp)
![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n20250414100415aaa63.webp)
![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n202504111044136711b.webp)
![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n202504111015567eda1.webp)
![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n20250410104533dee04.webp)
![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n202504101019146147e.webp)
![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n202504091057409b7b7.webp)
![[[TitleNews]]](/uploads/37396/info/n202504091022321d2c9.webp)